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Micron, the Micron logo, and all other Micron trademarks are the property of Micron Technology, Inc. All other trademarks are the property of their respective owners. アイダホ州ボイシ、2020年11月9日 — Micron Technology, Inc.（Nasdaq：MU）は本日、史上最高の密度とパフォーマンスを他社に先駆けて達成した、世界初の176層3D NANDフラッシュメモリの出荷開始を発表しました。大きな飛躍を遂げた マイクロンの新しい176層技術 と最先端のアーキテクチャにより、データセンター、インテリジェントエッジ、モバイルデバイスなど、ストレージが活用されるあらゆる用途において、アプリケーションのパフォーマンスが大幅に向上します。, 2020 年 11 月 9 日，美國愛達荷州博伊西 — 美光科技（Nasdaq: MU）今日宣布全球首款 176 層 3D NAND 快閃記憶體已正式出貨，實現前所未有、領先業界的儲存容量和效能。 美光新推出的 176 層技術 及先進架構為一重大突破，可大幅提高資料中心、智慧邊緣運算以及手機裝置等儲存使用案例的應用效能。 美光技術與產品執行副總裁 Scott DeBoer 指出：「美光的 176 層 NAND 為業界樹立了新標竿。此層數比最接近我們的競爭對手高出近 40%。結合美光的 CuA（CMOS-under-array）架構，該技術使美光得以維持在產業中的成本領先優勢。, Solution offers flexible global cellular-enabled connectivity, underpinned by trusted edge-to-cloud onboarding BOISE, Idaho, and MUMBAI, India, Oct. 27, 2020 (GLOBE NEWSWIRE) -- Micron Technology, Inc., (Nasdaq: MU) and Tata Communications (NSE: TATACOMM) today announced they are joining forces to, 2020年10月27日米国アイダホ州ボーイズ、インド・ムンバイ発 - マイクロン・テクノロジー（Nasdaq：MU）とタタ・コミュニケーションズ（NSE：TATACOMM）は本日、モノのインターネット（IoT）デバイスのグローバルレベルでの大規模な実装を簡素化し、加速する世界規模のセルラー対応接続ソリューションを共同で構築すると発表しました。このソリューションは、世界初のクラウドベースの組み込み型加入者IDモジュール（eSIM）である新開発の仮想SIMで動作します。これにより、従来の物理SIMカードに代わる柔軟でスケーラブルな選択肢が誕生することになります。, アイダホ州ボイシ、2020年10月20日— Micron Technology, Inc.（NASDAQ：MU）は本日、業界初となる低電力DDR5（LPDDR5）DRAMを搭載したUFS（ユニバーサルフラッシュストレージ）規格対応マルチチップパッケージ、uMCP5を発売すると発表しました。今回、量産準備を完了したマイクロンのuMCP5は、高性能、高密度、省電力メモリとストレージをコンパクトなパッケージに統合することで、スマートフォンの速度と電力効率を大きく高め、処理データ量が増加する5G世代のワークロードに対応します。, High-performance memory and storage in a single, tightly designed package accelerate 5G applications for smartphones BOISE, Idaho, Oct. 20, 2020 (GLOBE NEWSWIRE) -- Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), today announced the launch of uMCP5, the industry’s first universal flash storage (UFS). DDR5 is the next evolution in DRAM, bringing a robust list of new features geared to increase reliability, availability, and serviceability (RAS); reduce power; and dramatically improve performance. Learn, imagine, innovate, solve, and gain insight on the technology trends of today and tomorrow from … マイクロンのメモリソリューションは、コンピューティング、ネットワーキング、サーバ、データセンターから、モバイル機器、組み込み製品、コンシューマ、自動車および産業向けなど多岐にわたり、世界の人々の豊かな暮らしの実現と社会の発展に貢献しています。, マイクロンは社員４名の半導体製品の設計会社として、アイダホ州ボイシの歯科医院の地下室で創業しました。最初の契約は、Mostek社の64Kメモリチップの設計でした。, 世界最小の64K DRAM設計と賞賛されたその革新的なデザインは、1981年に初の64K製品を量産に導きました。, 64K DRAMはアイダホ州ボイシの工場で最初に製造された製品で、Commodore 64ホームコンピュータを含む、初期に大量生産された多くのパーソナルコンピュータに搭載されました。, このチップは世界最小の256K DRAMダイとして発売されただけでなく、DRAM容量における業界のマイルストーンとなりました。256K DRAMは、より大きく読みやすいメモリセルを使うことで、創業まもないメモリのスタートアップ企業を大きく成長させるきっかけとなりました。, 容量におけるマイルストーンとなった1Mb DRAMは、1980年代後半から1990年代におけるPCやグラフィックスカード用メインメモリの定番となりました。また、マイクロソフトのWindows OSを備えたPCに対応する、高容量SIMMモジュールを可能にしました。, 256KビデオRAMおよび高速スタティックRAMの発売は、マイクロンの製品ポートフォリオを拡充、多様なメモリを提供するメモリメーカーとなりました。, 容量におけるマイルストーンとなった16Mb DRAM は、4MbのDRAMラインナップに代わる主力となり、マイクロソフトのWindows 3.1の発売と同時に、PCのRAM要件が1Mbに変わるきっかけを作りました。, サムライダブルデータレート（DDR）チップセットのデモンストレーションは、DDRメモリより低いコストで、競合するダイレクトRDRAMソリューションに相当する性能を提供できることを証明しました。最終的にこのDDRは、高性能DRAMのための業界標準のインターフェイスとしての地位を確立することになります。, マイクロンの革新的なクアッドデータレート (QDR) アーキテクチャは、スイッチやルーターなどの通信用途のSRAM帯域幅を効率的に2倍にしました。この独特なデザインは2つのポートを使用し、ダブルデータレートで独立して実行され、クロックサイクルごとに4つのデータアイテムが生じます。, 最先端の生産技術で製造された1Gb DDR（110nm）は、半導体大手のインテルやAMDの130nmを追い越し、容量やインターフェイス性能におけるメモリ業界の先駆者としての地位を確立しました。, イメージセンサーへの参入は、電荷結合素子（CCD）センサーに匹敵する画質を持つCMOS技術を作ることができるイノベーターとしての地位を確立しました。今日、CMOSセンサーは、スマートフォンからハイエンドのプロフェッショナルギアまで、すべてのタイプのデジタルカメラにおけるスタンダードとなっています。, 擬似スタティックRAM（PSRAM）は、モバイル端末のSRAMに取って代わるために必要な高周波、高性能、低消費電力実現したものです。PSRAMにおけるマイクロンの主導的地位は、現在、モバイル端末で使用されている低電力DRAM製品への道を開くものとなりました。, 業界の8F2セル基準に取って代わる、全く新しい6F2セルアーキテクチャを開発しました。ウェハあたり約25%のビット増加を実現したこの大容量設計によって、最もコスト競争力の高いメモリメーカーとしての地位を取り戻すことができました。, 微小33mm2ダイの上に作られた16Mb DRAMは、小さいフットプリントにおけるさらなる高容量と低電力を実現しました。携帯電話のマルチメディア化にしたがい、LPDRAM要件は劇的に増加し続け、その傾向は今日のスマートフォンでも続いています。, DRAMテストスループットや正確性の向上を目的に、独自にテスターを開発しました。このテスターのプラットフォームを継続的に進化させ、新しい将来のメモリスタンダードに対応させています。, マイクロンの16Gb DDR2モジュールは、2000年代のサーバーメモリフットプリントの急激な成長を推進しました。この時代、仮想化技術により複数のアプリケーションがひとつのサーバー上に搭載されました。これらの高容量サーバーモジュールは、今日もトレンドとして続いています。, ダブルピッチはリソグラフィ変更なしにビット容量を増やすため、リソグラフィ技術として導入されました。この方法は、第1および第2の金属層へのビットラインの分離にかかわり、これにより既存の50nm技術の上で16Gb MLCデバイスを提供できるようになりました。, 従来ネットワーキングのために設計されたこの高性能 DRAMは、すぐに予想外のアプリケーション、DLPベースのTVおよびプロジェクターに選択されました。容量が増加する一方で、低レイテンシ DRAMは現在のネットワーキングアプリケーションにおいて必需品となっています。, このマルチレベルセル (MLC) NANDフラッシュデバイスは、デジタルカメラ、パーソナルミュージックプレイヤーおよびデジタルカムコーダーを含む非常に小さいファクタデバイスで高容量ソリッドステートストレージが使用できる、業界初のモノリシック32Gb NANDでした。, 立ち上げ時、C300はノートブックおよびデスクトップのための業界最速のSSDでした。SATA IIIインターフェースのおかげで、このSSDは6Gb/sの速度を可能にし、データ転送、アプリケーションロードおよびブート時間の処理速度を著しく向上させました。, この128Gb MLCメモリは、1Tbの データを、新しいストレージベンチマークを設定するたった8つのダイの単一で手軽なサイズのパッケージに保存することができます。さらに、初めてスタンダードフローティング・ゲート NANDのスケーリング制約を乗り越えた、革新的なプラーナセル構造を使用したものでした。, ハイブリッドメモリキューブ (HMC) はシリコン貫通電極 (TSV)技術を使用し、メモリダイのスタックと高速ロジックを結びつける画期的なDRAM アーキテクチャです。HMCから得た知識は将来の新世代のメモリ技術へ応用されます。, このソリューションは、ホットスワイプ 2.5-インチ フォームファクタおよびカスタムマイクロンコントローラと高性能 PCI Eエクスプレスインターフェースを一つにし、企業パフォーマンスのスケーラビリティおよび有用性に新しい選択肢を提供しました。, DDR3L-RS メモリは「低消費電力」DRAMソリューションの新しいカテゴリを生み出し、ラップトップ、タブレットおよびUltrabookシステムなどの新世代の高性能、超薄型デバイスに対応した、より長いバッテリ寿命を可能にしました。 Telefon: 0800 589 3186 E-Mail: crucialberatung@micron.com www.crucial.de. These charts include contributions to members' presidential committees. Micron Technology organization profile. A live webcast of the call will air on Micron’s Investor Relations, Crucial's Expanded Consumer Portable SSD Portfolio Features the Crucial X6 and X8, Providing Incredible Performance, Reliability and Value — Anytime, Anywhere Key Benefits: Available in up to 2TB capacities to store all your important files, videos, photos and more Read speed up to 540MB/s for 3.8, BOISE, Idaho, Aug. 05, 2020 (GLOBE NEWSWIRE) -- Micron Technology, Inc., (NASDAQ: MU) today announced the appointment of Kris Baxter to the role of corporate vice president and general manager of Micron’s Embedded Business Unit (EBU).

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